[发明专利]单片半导体激光器的制造方法

权利要求书

1.一种单片半导体激光器的制造方法，其特征在于，具有如下步 骤：

在半导体衬底上，形成第一半导体激光器的第一下覆盖层、第一活 性层、第一上覆盖层、第一刻蚀停止层、第二上覆盖层以及第一接触层；

在所述半导体衬底上，形成与所述第一半导体激光器进行元件间隔 离的第二半导体激光器的第二下覆盖层、第二活性层、第三上覆盖层、 第二刻蚀停止层、第四上覆盖层以及第二接触层，使得所述第四上覆盖 层和所述第二接触层相加的膜厚比所述第二上覆盖层和所述第一接触 层相加的膜厚薄；

在整个表面上形成抗蚀剂，对所述抗蚀剂进行构图，在所述第一、 第二半导体激光器上形成开口；

利用将所述抗蚀剂作为掩模的干法刻蚀，同时在所述第二上覆盖层 以及所述第一接触层、和所述第四上覆盖层以及所述第二接触层上分别 形成第一、第二脊，在所述第二刻蚀停止层在所述第二脊的侧面的部分 露出的时刻，使干法刻蚀停止；

利用将所述抗蚀剂作为掩模的湿法刻蚀，选择性地除去在第一脊的 侧面的部分残留在所述第一刻蚀停止层上的第二上覆盖层。

2.一种单片半导体激光器的制造方法，其特征在于，具有如下步 骤：

在半导体衬底上，形成第一半导体激光器的第一下覆盖层、第一活 性层、第一上覆盖层、第一刻蚀停止层、第二上覆盖层以及第一接触层；

在所述半导体衬底上，形成与所述第一半导体激光器进行元件间隔 离的第二半导体激光器的第二下覆盖层、第二活性层、第三上覆盖层、 第二刻蚀停止层、第四上覆盖层以及第二接触层，使得所述第四上覆盖 层和所述第二接触层相加的膜厚比所述第二上覆盖层和所述第一接触 层相加的膜厚厚；

在整个表面上形成抗蚀剂，对所述抗蚀剂进行构图，在所述第一、 第二半导体激光器上形成开口；

利用将所述抗蚀剂作为掩模的干法刻蚀，同时在所述第二上覆盖层 以及所述第一接触层、和所述第四上覆盖层以及所述第二接触层上分别 形成第一、第二脊，在所述第一刻蚀停止层在所述第一脊的侧面的部分 露出的时刻，使干法刻蚀停止；

利用将所述抗蚀剂作为掩模的湿法刻蚀，选择性地除去在第二脊的 侧面的部分残留在所述第二刻蚀停止层上的第四上覆盖层。