[发明专利]负载型花状银纳米结构材料的合成方法无效
| 申请号： | 200810124408.4 | 申请日： | 2008-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN101323964A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 孟祥康;唐少春;陈延峰 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C25D3/46 | 分类号： | C25D3/46 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 负载型花状银纳米结构材料的合成方法：阳极为高纯银片，阴极使用的是铂膜电极，电解液是硝酸银溶液，浓度为0.003－0.01mol/L，电解液的体积为20－100mL；电沉积时调节恒定电压范围为50－200mV，电沉积时间为2－15min；反应后将负载银纳米结构材料的负极用去离子水反复冲洗，最后在氮气气氛中晾干。实现了晶体的各向异性生长，又使得金属纳米结构的尺寸和微结构可控。不需要任何添加剂和电极表面修饰，只是通过简单控制合适的电压和电解液浓度；方法异常简单、易操作，产物易分离、纯度较高，具有很好的工业应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 负载 型花状银 纳米 结构 材料 合成 方法 | ||
【主权项】：
1、负载型花状银纳米结构材料的合成方法：其特征是阳极为高纯银片，阴极使用的是铂膜电极，电解液是硝酸银溶液，浓度为0.003-0.01mol/L，电解液的体积为20-100mL；电沉积时调节恒定电压范围为50-200mV，电沉积时间为2-15min；反应后将负载银纳米结构材料的负极用去离子水反复冲洗，最后在氮气气氛中晾干。
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