[发明专利]负载型花状银纳米结构材料的合成方法

权利要求书

1.负载型花状银纳米结构材料的合成方法：其特征是阳极为高纯银片，阴极使用铂膜电极，电解液是硝酸银溶液，浓度为0.003-0.01mol/L，电解液的体积为20-100mL；电沉积时调节恒定电压范围为50-200mV，电沉积时间为2-15min；反应后将负载银纳米结构材料的负极用去离子水反复冲洗，最后在氮气气氛中晾干。

2.由权利要求1所述的负载型花状银纳米结构材料的合成方法，其特征是电沉积时采用直流电源，且电沉积时在恒压模式下电化学还原。

3.由权利要求1所述的负载型花状银纳米结构材料的合成方法，其特征是通过控制合适的电压和电解液浓度来获得合适的反应驱动力及沉积时间控制银纳米片的分布密度，从而精确控制花状银纳米结构的尺寸和微结构。

4.由权利要求1或2所述的负载型花状银纳米结构材料的合成方法，其特征是阳极为一个高纯银片，其尺寸为40mm×20mm～40mm×30mm；阴极使用的是铂膜电极，尺寸均为10mm×10mm～30mm×30mm；电极间距离为30～40mm，两个电极用铁架台固定。

5.由权利要求1或2所述的负载型花状银纳米结构材料的合成方法：其特征是采用稳压稳流的精密直流电源，电解槽为一个长方形塑料槽，其尺寸为5cm长×3cm宽×0.5cm厚；其中阳极为长方形的高纯银片，阴极采用的是正面沉积一层铂膜的正方形金属片或硅片，插入电解液液面以下的有效正对面积为整个阴极的1/2，正负电极间距为30～40mm，两个电极用铁架台固定，整个回路采用导线连接。

6.由权利要求1所述的负载型花状银纳米结构材料的合成方法，其特征是先依次用丙酮、乙醇和去离子水对Si(111)片反复清洗，在空气中晾干，然后在精密镀膜机上沉积一定厚度的铂膜；称取一定量的AgNO₃，加入去离子水配制成溶液，取出一定体积的溶液作为电解液；用2000号金刚石砂纸对银电极进行单面抛光，依次用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗，以去除表面杂质；将两个电极插入电解液中并用铁架台固定，电极间距为30～40mm，用铜导线将整个回路连接好；反应结束后，将负载产物的PFE电极用去离子水反复清洗，以去除表面附着的AgNO₃晶体，然后在氮气气氛中晾干。