[发明专利]一种硅双向触发二极管的制造方法无效
| 申请号： | 200810122237.1 | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101399201A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陈福元;毛建军;胡煜涛 | 申请（专利权）人： | 杭州杭鑫电子工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/78;H01L21/50 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310053浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅双向触发二极管的制造方法。包括如下步骤：1)在N-型硅单晶片的正反两个面上同时完成P+型半导体杂质扩散，得到P+/N-/P+结构；2)研磨P+/N-/P+结构硅片的正反两个表面；3)在P+/N-/P+结构硅片的正反两个表面镀上镍层；4)将P+/N-/P+结构的硅片锯切成二极管芯片；5)通过隧道炉将二极管芯片与封装底座焊接；6)进行二极管垂直台面的酸腐蚀清洗，PN结的表面钝化，压模成型，制成硅双向触发二极管。本发明采用硅单晶研磨片来代替硅外延片作为制造垂直台面PN结硅双向触发二极管的基片材料，可简化硅双向触发二极管的制造工艺流程，缩短生产周期，降低成本，提高产品性价比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 触发 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种硅双向触发二极管的制造方法，其特征在于包括如下步骤：1)在N-型硅单晶片的正反两个面上同时完成P+型半导体杂质扩散，得到P+/N-/P+结构；2)研磨P+/N-/P+结构硅片的正反两个表面；3)在P+/N-/P+结构硅片的正反两个表面镀上镍层；4)将P+/N-/P+结构的硅片锯切成二极管芯片；5)通过隧道炉将二极管芯片与封装底座焊接；6)进行二极管垂直台面的酸腐蚀清洗，PN结的表面钝化，压模成型，制成硅双向触发二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
