[发明专利]一种硅双向触发二极管的制造方法

权利要求书

1.一种硅双向触发二极管的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

1)在N-型硅单晶片的正反两个面上同时完成P+型半导体杂质扩散，得到P+/N-/P+结构；

2)研磨P+/N-/P+结构硅片的正反两个表面；

3)在P+/N-/P+结构硅片的正反两个表面镀上镍层；

4)将P+/N-/P+结构的硅片锯切成二极管芯片；

5)通过隧道炉将二极管芯片与封装底座焊接；

6)进行二极管垂直台面的酸腐蚀清洗，PN结的表面钝化，压模成型，制成硅双向触发二极管。

2.根据权利要求1所述的一种硅双向触发二极管的制造方法，其特征在于所述的N-型硅单晶片的电阻率为0.03～0.05Ωcm。

3.根据权利要求1所述的一种硅双向触发二极管的制造方法，其特征在于所述的研磨为机械研磨。

4.根据权利要求1所述的一种硅双向触发二极管的制造方法，其特征在于所述的P+型半导体杂质为硼。

5.根据权利要求1所述的一种硅双向触发二极管的制造方法，其特征在于所述的锯切成二极管芯片的四周PN结呈现垂直于芯片表面的台面形状。

6.根据权利要求1所述的一种硅双向触发二极管的制造方法，其特征在于所述的PN结的酸腐蚀清洗与表面钝化，皆在二极管的垂直台面上进行。