[发明专利]一种发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 200810120915.0 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101359707A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 田洪涛 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/373 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018浙江省杭州市(*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，所述发光二极管包括键合在一起的热沉基板和氮化镓外延层，所述热沉基板为氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板上镀有金属焊料，所述氮化镓外延层包括N型氮化镓、有源层、P型氮化镓、接触、反光金属层、金属焊料层、P电极和N电极，在发光二极管的制作中采用氮化铝陶瓷基板作为圆片键合的导热衬底具有良好的导热性能，有利于增加发光二极管的散热能力，控制发光二极管制作过程的温度，增加发光二极管有效发光面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括键合在一起的热沉基板和氮化镓外延层，其特征在于：所述热沉基板为氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板上镀有金属焊料，所述氮化镓外延层包括N型氮化镓、有源层、P型氮化镓、接触、反光金属层、金属焊料层、P电极和N电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰明芯科技有限公司，未经杭州士兰明芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810120915.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
