[发明专利]一种发光二极管及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及键合工艺的垂直结构发光二极管及其制作方法。

背景技术

垂直结构大功率发光二极管被认为是实现半导体照明最可行的方案之一，这种方案无论是在散热还是在提高取光效率上都有独特的优势。通常的垂直结构大功率发光二极管制作方法有两种：一种是先在氮化镓外延层上沉积接触、反光层金属，然后通过电镀一层铜作为热沉基底；另一种方法是先在氮化镓外延层上沉积接触、反光层金属，然后和硅基板键合，用硅基板作为热沉基底。接下来的工艺是去掉氮化镓外延层的蓝宝石衬底，常见的方法有两种：(1)采用激光剥离技术使蓝宝石衬底和氮化镓外延层分离、或(2)采用机械化学研磨的方法去掉蓝宝石衬底。去掉蓝宝石衬底后的氮化镓外延层以导热性良好的铜或硅为支撑衬底，新的支撑衬底一方面作为散热通道，另一方面作为发光二极管电流传导的通道。

图1所示为用铜基板热沉键合的蓝光垂直结构发光二极管，包括：N电极、N型氮化镓、有源层、P型氮化镓、接触、反光层金属、焊料层、铜基板热沉。由于铜或者铜合金都具有良好的导热性，发光二极管在工作时会产生热量，通过铜基座将热量导出，有效克服因发光二极管工作过程中温度升高过大引起的器件性能下降，但是铜基座有一个明显的缺点是铜的热膨胀系数远比氮化镓外延层的热膨胀系数大，当温度上升到一定程度时，氮化镓外延层容易因为热应力而破裂。

图2所示为用硅基板热沉键合的蓝光垂直结构发光二极管，包括：N电极、N型氮化镓、有源层、P型氮化镓、接触、反光层金属、金属焊料层、硅基板热沉、作为P电极的背金层。由于硅基板导热系数比铜小，比蓝宝石大，但是热膨胀系数比氮化镓外延层和蓝宝石衬底都小，蓝光垂直结构发光二极管圆片在键合工艺时容易因为热应力弯曲而破裂，成品率较低，对键合工艺要求较高，键合后弯曲的圆片也不利于激光剥离工艺或研磨工艺。

以硅基板热沉键合的蓝光垂直结构发光二极管的制作为例进行说明，其制作步骤如下：

(1)在硅基板上沉积欧姆接触金属层；

(2)在硅基板的欧姆接触层上沉积金属焊料；

(3)在蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层，氮化镓外延层包括缓冲层、N型氮化镓、有源层、p型氮化镓；

(4)在氮化镓外延层上沉积金属作为接触、反光层；

(5)在接触反光层上沉积金属焊料；

(6)将沉积金属焊料的硅基板和沉积金属焊料的氮化镓外延片键合；

(7)采用激光剥离工艺或者研磨工艺去掉(6)中蓝宝石衬底；

(8)去掉蓝宝石衬底后的氮化镓外延层表面做干法或湿法刻蚀；

(9)刻蚀后的氮化镓表面制作N电极；

(10)减薄硅基板、并在硅基板上蒸镀作为P电极的背金层

(11)用金刚石砂轮切割硅基板，分离管芯。

由于铜或铜合金基板、硅基板在切割时必须使用砂轮切割，砂轮本身具有一定厚度，切割过程中因砂轮的抖动，整个切割道厚度需要保留一定宽度，对硅基板来说至少40um，对铜或铜合金基板来说至少60um，这样划片道就占据发光二极管的有效发光面积，同时使用激光切割则需要较大的激光输出功率，切割过程中产生的较高温度会影响器件性能，。

另外铜或铜合金基板、硅基板材料具有导电性，发光二极管的P电极和N电极是上、下结构。封装使用过程中，发光二极管固定在支架上，这就要求支架必须是导电的，如果使用多个发光二极管在同一个支架上串、并联使用，连线上会带来很大困难。

发明内容

本发明旨在解决现有技术的不足，提出一种新型的发光二极管结构，这种结构保留垂直结构发光二极管的优点，对导热基板提出改进，提高发光二极管的导热性能以及可靠性，同时解决同一个支架上多发光二极管串、并联使用的连线问题。

同时本发明还提供了一种发光二极管的制作方法，以便于发光二极管的制造，从而提高发光二极管的性能。

一种发光二极管，包括键合在一起的热沉基板和氮化镓外延层，其特征在于：所述热沉基板为氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板上镀有金属焊料，所述氮化镓外延层包括N型氮化镓、有源层、P型氮化镓、接触、反光金属层、金属焊料层、P电极和N电极。

所述P电极位于N型氮化镓上，所述N电极位于氮化镓外延层的金属焊料层上，所述P电极和N电极在发光二极管同侧。

本发明所述的发光二极管结构适用于氮化镓蓝光、绿光、红光和黄光发光二极管。

一种发光二极管的制作方法，其特征在于包含以下步骤：

(1)在导热不导电的热沉基板上蒸镀金属焊料；