[发明专利]聚吡咯气敏元件及其制作方法无效
| 申请号: | 200810120551.6 | 申请日: | 2008-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN101354367A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
| 发明(设计)人: | 李扬;陈友汜;杨慕杰 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 韩介梅 |
| 地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种聚吡咯气敏元件及其制作方法。它是以陶瓷玻璃为基片,其上有多对叉指金电极,在陶瓷基片和叉指金电极表面依次沉积聚二甲基二烯丙基氯化铵和聚苯乙烯磺酸钠修饰膜,在修饰膜上沉积聚吡咯气敏膜,通过修饰膜使得聚吡咯与基片和电极表面接触良好。本发明制备工艺简单,成本低,尤其适用于批量生产。所制备的气敏元件可用于室温条件下测量氨气浓度,且具有对氨气响应具有灵敏度高,回复性佳,响应快等特点,可用于工业、农业生产以及环境监测中的氨气检测。 | ||
| 搜索关键词: | 吡咯 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.聚吡咯气敏元件,其特征在于它具有陶瓷基片(1),在陶瓷基片表面光刻和蒸发有多对叉指金电极(2),在叉指金电极上连接有引线(3),在陶瓷基片和叉指金电极表面依次涂敷有聚二甲基二烯丙基氯化铵修饰膜(4)和聚苯乙烯磺酸钠修饰膜(5),在聚苯乙烯磺酸钠修饰膜表面涂覆有聚吡咯气敏薄膜(6)。
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