[发明专利]聚吡咯气敏元件及其制作方法

权利要求书

1.聚吡咯气敏元件，其特征在于它具有陶瓷基片(1)，在陶瓷基片表面光刻和蒸发有多对叉指金电极(2)，在叉指金电极上连接有引线(3)，在陶瓷基片和叉指金电极表面依次涂敷有聚二甲基二烯丙基氯化铵修饰膜(4)和聚苯乙烯磺酸钠修饰膜(5)，在聚苯乙烯磺酸钠修饰膜表面涂覆有聚吡咯气敏薄膜(6)。

2.根据权利要求1所述的聚吡咯气敏元件，其特征在于陶瓷基片表面的叉指金电极有8～16对，叉指金电极的叉指宽度为20～200μm，叉指间隙为20～200μm。

3.根据权利要求1所述的聚吡咯气敏元件的制作方法，其特征在于步骤如下：

1)清洗表面光刻和蒸发有叉指金电极的陶瓷基片，烘干备用；

2)分别配制重量百分浓度为1～5％的聚二甲基二烯丙基氯化铵水溶液和重量百分浓度1～5％的聚苯乙烯磺酸钠水溶液；

3)在含有三氯化铁和对甲苯磺酸的水溶液中加入吡咯单体溶液并搅拌2～30min，滤纸过滤，得到前驱体溶液，其中以重量百分浓度计，三氯化铁为0.02～0.2％，对甲苯磺酸为0.4～2％，吡咯为0.1～0.3％；

4)将步骤1)的陶瓷基片叉指金电极依次浸渍于聚二甲基二烯丙基氯化铵水溶液和聚苯乙烯磺酸钠水溶液中各10～30min，每次浸渍结束后将陶瓷基片叉指金电极用去离子水漂洗10～40s，用氮气流吹干；随后将陶瓷基片叉指金电极浸渍于步骤3)制备的前驱体溶液中15～120min，取出用去离子水漂洗，再经氮气流干燥，得到聚吡咯气敏元件。

4.根据权利要求3所述聚吡咯气敏元件的制作方法，其特征在于所说的叉指金电极的叉指宽度为20～200μm，叉指间隙为20～200μm。