[发明专利]一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法有效
| 申请号： | 200810119126.5 | 申请日： | 2008-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101339128A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 杨欢;李飞;罗先刚;杜春雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55;G01N21/41 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 贾玉忠;卢纪 |
| 地址： | 61020*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)选择基片并清洗；(2)采用真空蒸镀在基片上镀上第一层金属膜；(3)在金属膜层上自组装一层聚苯乙烯纳米球；(4)在自组装层上蒸镀第二层金属薄膜，填充球与球之间的间隙；(5)通过Lift off工艺去除纳米球；(6)采用激光直写机制作微米量级的点阵掩模板；(7)利用光刻将掩模图形转移到基板上；(8)通过显影、去胶，得到点阵图形；(9)通过化学方法，去除多余金属和光刻胶，形成具有周期性纳米结构的金属点阵芯片；本发明采用纳米聚苯乙烯球进行自组装的方法实现周期性纳米结构的制备，适合大批量的制作纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 等离子体 共振 成像 纳米 结构 阵列 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法，其特征在于包括下列步骤：(1)选择基片，并清洗；(2)采用真空蒸镀在基片上均匀镀上的第一层金属薄膜；(3)在金属薄膜上采用纳米球自组装方法，制作一层聚苯乙烯纳米球自组装层；(4)在纳米球自组装层上蒸镀第二层金属薄膜，纳米球的间隙处填充金属；(5)通过Lift off工艺去除聚苯乙烯纳米球自组装层，仅留下球与球的间隙处的金属，得到带有阵列化金属纳米列阵结构的金属薄膜；(6)采用激光直写机制作点阵掩模板；(7)在步骤(5)所得结构表面涂覆正性光刻胶，然后用步骤(6)所制作的点阵掩模版对光刻胶进行曝光；(8)通过显影、去胶，去除基片表面曝光后的光刻胶；(9)通过选择性化学刻蚀，去除点阵外的金属，然后通过剥离液去掉未曝光的光刻胶，得到具有纳米列阵结构的金属点阵；
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