[发明专利]一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法有效
| 申请号： | 200810119126.5 | 申请日： | 2008-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101339128A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 杨欢;李飞;罗先刚;杜春雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55;G01N21/41 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 贾玉忠;卢纪 |
| 地址： | 61020*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 等离子体 共振 成像 纳米 结构 阵列 芯片 制备 方法 | ||
1.一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法，其特征在于包括下列步骤：
(1)选择基片，并清洗；
(2)采用真空蒸镀在基片上均匀镀上第一层金属薄膜；
(3)在金属薄膜上采用纳米球自组装方法，制作一层聚苯乙烯纳米球自组装层；
(4)在纳米球自组装层上蒸镀第二层金属薄膜，纳米球的间隙处填充金属；
(5)通过Lift off工艺去除聚苯乙烯纳米球自组装层，仅留下球与球的间隙处的金属，得到带有阵列化金属纳米列阵结构的金属薄膜；
(6)采用激光直写机制作点阵掩模板；
(7)在步骤(5)所得结构表面涂覆正性光刻胶，然后用步骤(6)所制作的点阵掩模版对光刻胶进行曝光；
(8)通过显影、去胶，去除基片表面曝光后的光刻胶；
(9)通过选择性化学刻蚀，去除点阵外的金属，然后通过剥离液去掉未曝光的光刻胶，得到具有纳米列阵结构的金属点阵。
2.根据权利要求1所述的一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述基片为经过抛光后的玻璃片。
3.根据权利要求1所述的一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中蒸镀第一层金属薄膜之前，为了增加金属薄膜的牢固度，先在基片上先镀上一层2nm～5nm的铬层。
4.根据权利要求1所述的一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所蒸镀的第一层金属薄膜的材质为金、或银、或铜；薄膜厚度为40nm～60nm。
5.根据权利要求1所述的一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法，其特征在于：步骤(3)中的聚苯乙烯纳米球直径为100nm～500nm。
6.根据权利要求1所述的一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法，其特征在于：步骤(4)中所蒸镀的第二层金属薄膜的材质为金、或银、或铜；薄膜厚度为20nm～30nm。
7.根据权利要求1所述的一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法，其特征在于：步骤(6)中的点阵直径为10微米～2毫米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院光电技术研究所，未经中国科学院光电技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810119126.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：深大竖井简易自动卸碴装置
- 下一篇：一种石油醚提取红茶浸膏及其制备方法和应用
