[发明专利]一种紫外图像传感器的像素单元结构及其制备方法有效
| 申请号: | 200810118876.0 | 申请日: | 2008-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN101661944A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
| 发明(设计)人: | 张盛东;王漪;金玉丰 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/522;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/768;H04N5/30 |
| 代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 贾晓玲 |
| 地址: | 100871北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种紫外图像传感器的像素单元及其制备方法。该传感器像素单元包括一衬底,在衬底上集成两个薄膜晶体管,一个薄膜晶体管为驱动晶体管,包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极、遮光层和钝化层;另一个薄膜晶体管为探测晶体管,该探测晶体管包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极和钝化层。驱动晶体管的栅电极与图像传感器的行扫描线相连,驱动晶体管的漏电极与图像传感器的列数据线相连;探测晶体管的漏电极与驱动晶体管的源电极相连,探测晶体管的源电极接地或接到下一行的行扫描线,探测晶体管的栅电极接地或偏置。本发明不同于传统的单晶半导体器件,具有更强的灵活性和更低的成本,其分辨率和灵敏度得到显著提高。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 紫外 图像传感器 像素 单元 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种紫外图像传感器的像素单元结构,其特征在于,包括一衬底,在衬底上集成两个薄膜晶体管,其中,一个薄膜晶体管为驱动晶体管,该驱动晶体管包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极、遮光层和钝化层;另一个薄膜晶体管为探测晶体管,该探测晶体管包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极和钝化层,所述驱动晶体管的栅电极与图像传感器的行扫描线相连,所述驱动晶体管的漏电极与图像传感器的列数据线相连,所述探测晶体管的漏电极与所述驱动晶体管的源电极相连,所述探测晶体管的源电极接地或接到下一行的行扫描线,所述探测晶体管的栅电极接地或偏置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





