[发明专利]双镶嵌结构形成方法有效
| 申请号： | 200810117726.8 | 申请日： | 2008-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101645414A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;沈满华;孙武;尹晓明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种双镶嵌结构形成方法，包括：在基底上形成介质层及贯穿所述介质层的通孔；形成覆盖所述介质层并填充所述通孔的抗蚀剂层；图形化所述抗蚀剂层，暴露所述介质层的部分表面及填充所述通孔的抗蚀剂层；以覆盖所述介质层的部分表面的抗蚀剂层为掩模，执行主刻蚀操作，去除部分深度的所述介质层及填充所述通孔的抗蚀剂层，使填充所述通孔的抗蚀剂层高于剩余的所述介质层；利用氟碳气体执行平行于所述基底的刻蚀操作；去除部分深度的填充所述通孔的抗蚀剂层，使获得的填充所述通孔的抗蚀剂层与剩余的所述介质层高度相同；去除剩余的所述抗蚀剂层。可减少形成双镶嵌结构时刻面缺陷及栏式缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双镶嵌结构形成方法，其特征在于，包括：在基底上形成介质层及贯穿所述介质层的通孔；形成覆盖所述介质层并填充所述通孔的抗蚀剂层；图形化所述抗蚀剂层，暴露所述介质层的部分表面及填充所述通孔的抗蚀剂层；以覆盖所述介质层的部分表面的抗蚀剂层为掩模，执行主刻蚀操作，去除部分深度的所述介质层及填充所述通孔的抗蚀剂层，使填充所述通孔的抗蚀剂层高于剩余的所述介质层；利用氟碳气体执行平行于所述基底的刻蚀操作；去除部分深度的填充所述通孔的抗蚀剂层，使获得的填充所述通孔的抗蚀剂层与剩余的所述介质层高度相同；去除剩余的所述抗蚀剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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