[发明专利]双镶嵌结构形成方法有效
申请号: | 200810117726.8 | 申请日: | 2008-08-04 |
公开(公告)号: | CN101645414A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 王新鹏;沈满华;孙武;尹晓明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/311 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 丽 |
地址: | 100176北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镶嵌 结构 形成 方法 | ||
1.一种双镶嵌结构形成方法,其特征在于,包括:
在基底上形成介质层及贯穿所述介质层的通孔;
形成覆盖所述介质层并填充所述通孔的抗蚀剂层;
图形化所述抗蚀剂层,暴露所述介质层的部分表面及填充所述通孔的抗蚀剂层;
以覆盖所述介质层的部分表面的抗蚀剂层为掩模,执行主刻蚀操作,去除部分深度的所述介质层及填充所述通孔的抗蚀剂层,使填充所述通孔的抗蚀剂层高于剩余的所述介质层,
所述去除部分深度的所述介质层及填充所述通孔的抗蚀剂层时采用等离子体刻蚀工艺,执行所述等离子体刻蚀操作时,应用的反应气体对所述介质层的刻蚀速率高于其对所述抗蚀剂层的刻蚀速率;
利用氟碳气体执行平行于所述基底的刻蚀操作;
去除部分深度的填充所述通孔的抗蚀剂层,使获得的填充所述通孔的抗蚀剂层与剩余的所述介质层高度相同;
去除剩余的所述抗蚀剂层。
2.根据权利要求1所述的双镶嵌结构形成方法,其特征在于:所述介质层为低介电常数材料。
3.根据权利要求1所述的双镶嵌结构形成方法,其特征在于:所述抗蚀剂层为ArF光刻胶。
4.根据权利要求1所述的双镶嵌结构形成方法,其特征在于:所述反应气体包含刻蚀气体CF4和溅蚀气体Ar,所述刻蚀气体的流速小于所述溅蚀气体的流速。
5.根据权利要求1所述的双镶嵌结构形成方法,其特征在于:所述氟碳气体包括CF4,以及,C4F8或C4F6中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的双镶嵌结构形成方法,其特征在于:执行平行于所述基底的刻蚀操作时,偏置功率为零。
7.根据权利要求6所述的双镶嵌结构形成方法,其特征在于:执行平行于所述基底的刻蚀操作时的源功率高于执行主刻蚀操作时的源功率。
8.根据权利要求1所述的双镶嵌结构形成方法,其特征在于:去除部分深度的填充所述通孔的抗蚀剂层时,采用氧气灰化工艺。
9.根据权利要求8所述的双镶嵌结构形成方法,其特征在于:去除部分深度的填充所述通孔的抗蚀剂层时,氧气的流速小于去除剩余的所述抗蚀剂层时氧气的流速。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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