[发明专利]在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法无效
| 申请号： | 200810116412.6 | 申请日： | 2008-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101624725A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;吴东海;吴兵朋;熊永华;詹峰;黄社松;倪海桥;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/44 | 分类号： | C30B29/44;C30B23/02;H01L21/203 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理后的Ge衬底在As蒸气环境下暴露一定时间，然后在温度300至650℃范围内在该Ge衬底上生长无反相畴的GaAs薄膜。测试结果表明，生长出的GaAs薄膜表面粗糙度仅为0.718nm，即成功地抑制了反相畴的产生，其晶体质量优于目前世界的最好结果。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 无反相畴砷化镓 薄膜 分子 外延 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的锗Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理后的Ge衬底在砷As蒸气环境下暴露一定时间，然后在温度300至650℃范围内在该Ge衬底上生长无反相畴的砷化镓GaAs薄膜。
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