[发明专利]在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法

权利要求书

1.一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，其 特征在于，包括如下步骤：

步骤1：选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的锗衬底，所述锗衬底是 锗单晶片；

步骤2：对锗衬底进行除气脱氧及退火处理，退火温度500至700℃， 退火时间5至30分钟，且退火过程中没有砷保护；

步骤3：将进行退火处理后的锗衬底在砷蒸气环境下暴露一定时间， 暴露时间范围大于1分钟，衬底温度范围为500至700℃；然后在温度300 至650℃范围内在该锗衬底上生长无反相畴的砷化镓薄膜；

其中，步骤3中所述在锗衬底上生长无反相畴的砷化镓薄膜之前，无 需在锗衬底上生长锗缓冲层，而直接在锗衬底上生长砷化镓薄膜。

2.根据权利要求1所述的在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分 子束外延方法，其特征在于，步骤3中所述在锗衬底上生长无反相畴的砷 化镓薄膜的厚度为1μm，生长速率范围为0.1μm/h至1μm/h，生长温度范 围为300至650℃。