[发明专利]一种基于气体电子倍增器的计数式线阵成像探测器无效

专利信息
申请号: 200810114919.8 申请日: 2008-06-13
公开(公告)号: CN101290352A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 李玉兰;李元景;程建平 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01T1/16 分类号: G01T1/16;G01N23/00;A61B6/00
代理公司: 北京市德恒律师事务所 代理人: 马佑平
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种基于气体电子倍增器的计数式线阵成像探测器,属于辐射成像领域。该成像探测器包括密闭气室(1)、漂移电极(2)、2~3层GEM膜(3)等。漂移电极(2)、2~3层GEM膜(3)等都置于密闭气室(1)中;GEM膜上下表面电位差为300~400伏;射线入射到漂移区电离,产生电子经过GEM的雪崩放大收集到读出电极(5)上,由数据获取系统(8)进行放大、甄别、并输入到数据处理及显示计算机(9)中进行处理。所述数据获取系统(8)包括多能量阈甄别电路等。本发明选用GEM膜作为电子倍增器件,增加了动态范围,在保证图象质量的前提下,可以大大降低射线源剂量,降低了成本,同时可以实现双能或多能成像。
搜索关键词: 一种 基于 气体 电子倍增器 计数 式线阵 成像 探测器
【主权项】:
1、一种基于气体电子倍增器的计数式线阵成像探测器,其特征在于,该成像探测器包括密闭气室(1)、漂移电极(2)、2~3层GEM膜(3)、读出PCB板(4)、读出电极(5)、高压输入(6)、高压分压电阻串(7)、数据获取系统(8)、数据处理及显示计算机(9);漂移电极(2)、2~3层GEM膜(3)、读出PCB板(4)、读出电极(5)、高压分压电阻串(7)都置于密闭气室(1)中;密闭气室(1)中最上方一层是漂移电极(2),加有高压输入(6),以下是2~3层GEM膜(3),层叠在读出PCB板(4)上;漂移电极(2)、2~3层GEM膜(3)的上下表面通过高压分压电阻串(7)依此施加上不同的负高压;密闭气室(1)中充满工作气体,并在密闭气室(1)的一侧开有射线入射窗(10),射线沿入射方向(11)入射到探测器中由漂移电极(2)和第一层GEM组成的漂移区,并在此电离产生电子,电子经过GEM的雪崩放大,收集到读出电极(5)上,由数据获取系统(8)进行放大、甄别、并输入到数据处理及显示计算机(9)中进行显示、处理。
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