[发明专利]一种基于气体电子倍增器的计数式线阵成像探测器无效
| 申请号: | 200810114919.8 | 申请日: | 2008-06-13 |
| 公开(公告)号: | CN101290352A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
| 发明(设计)人: | 李玉兰;李元景;程建平 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | G01T1/16 | 分类号: | G01T1/16;G01N23/00;A61B6/00 |
| 代理公司: | 北京市德恒律师事务所 | 代理人: | 马佑平 |
| 地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 气体 电子倍增器 计数 式线阵 成像 探测器 | ||
1、一种基于气体电子倍增器的计数式线阵成像探测器,其特征在于,该成像探测器包括密闭气室(1)、漂移电极(2)、2~3层GEM膜(3)、读出PCB板(4)、读出电极(5)、高压输入(6)、高压分压电阻串(7)、数据获取系统(8)、数据处理及显示计算机(9);
漂移电极(2)、2~3层GEM膜(3)、读出PCB板(4)、读出电极(5)、高压分压电阻串(7)都置于密闭气室(1)中;密闭气室(1)中最上方一层是漂移电极(2),加有高压输入(6),以下是2~3层GEM膜(3),层叠在读出PCB板(4)上;漂移电极(2)、2~3层GEM膜(3)的上下表面通过高压分压电阻串(7)依此施加上不同的负高压;
密闭气室(1)中充满工作气体,并在密闭气室(1)的一侧开有射线入射窗(10),射线沿入射方向(11)入射到探测器中由漂移电极(2)和第一层GEM组成的漂移区,并在此电离产生电子,电子经过GEM的雪崩放大,收集到读出电极(5)上,由数据获取系统(8)进行放大、甄别、并输入到数据处理及显示计算机(9)中进行显示、处理。
2、根据权利要求1所述的一种基于气体电子倍增器的计数式线阵成像探测器,其特征在于,所述工作气体以氖、氩、氙惰性气体为主,并加入二氧化碳、甲烷淬灭性气体。
3、根据权利要求1所述的一种基于气体电子倍增器的计数式线阵成像探测器,其特征在于,所述漂移电极(2)为镀铝麦勒膜。
4、根据权利要求1所述的一种基于气体电子倍增器的计数式线阵成像探测器,其特征在于,所述2~3层GEM膜(3)单层GEM膜上下表面电位差为300~400伏。
5、根据权利要求1所述的一种基于气体电子倍增器的计数式线阵成像探测器,其特征在于,所述数据获取系统(8)包括放大器1、...放大器N;甄别器1、...甄别器N;计数器1、...计数器N和多能量阈甄别电路;
从N个读出电极输出的信号分别经放大器1至放大器N放大成形,然后经甄别器1、...甄别器N进行噪声甄别,送入N个计数器计数;
将最下一层的GEM膜下表面输出信号送到多能量甄别电路进行多能量阈甄别,然后编码产生能量阈标志信号,并送入各通道的计数器,计数器根据这些标志信号,控制相应的计数器完成累积计数,随后输入到数据处理及显示计算机(9)中。
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