[发明专利]一种低烧结温度低损耗的微波介质陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 200810114874.4 | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101289312A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 岳振星;庄昊;孟思勤;李龙土 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;H01B3/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市100*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于微波介质材料制造技术领域，特别涉及以氧化物为基础的一种低烧结温度低损耗微波介质陶瓷及其制备方法。该低烧结温度的微波介质陶瓷由Ba、V、W的氧化物为基础复合而成，是具有高品质因数、接近零温度系数的微波介质陶瓷，其化学表达式为：xBaO－yV2O5－zWO3；Ba、V、W的氧化物按xBaO－yV2O5－zWO3中以重量份数比配料，在低烧成温度下烧结成致密的微波介质陶瓷。本发明所提供的微波介质陶瓷属于低温烧结低介电常数的微波介质陶瓷材料，可应用于多层介质谐振器、滤波器和天线等微波器件的设计制造，在工业上有着很大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 温度 损耗 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低烧结温度低损耗的微波介质陶瓷，其特征在于，所述低烧结温度的微波介质陶瓷由Ba、V、W的氧化物为基础复合而成，其化学表达式为：xBaO-yV2O5-zWO3；Ba、V、W的氧化物按xBaO-yV2O5-zWO3中以重量份数比配料，在低烧成温度下烧结成致密的微波介质陶瓷；其中x＝45-65，y＝5-23，z＝12-50。
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