[发明专利]一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 200810112207.2 | 申请日： | 2008-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101588017A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;刘安金;王科;渠宏伟;邢名欣;陈微;周文君 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，该光子晶体垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源层、氧化层、面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和上环形电极构成。其中，该光子晶体垂直腔面发射激光器的上DBR表面的光子晶体区为高损耗区和耦合区，环形区和缺陷区为光输出区域；该光子晶体垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明，既提高了单模输出功率，又抑制了发散角。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单模 大功率 发散 光子 晶体 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，该光子晶体垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源区、氧化层、面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和上环形电极构成。
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