[发明专利]一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器

权利要求书

1.一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，该光子晶体垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源区、氧化层、面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和上环形电极构成，其中，缺陷腔结构和环形出光区均为出光区，且它们通过光子晶体区实现同相位耦合输出。

2.根据权利要求1所述的单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光子晶体垂直腔面发射激光器中的光子晶体是三角晶格空气柱型，或者是四方晶格空气柱型；该光子晶体的元胞是圆形空气柱，或者是椭圆形空气柱。

3.根据权利要求2所述的单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述空气柱型光子晶体的刻蚀深度为50％至80％的上DBR厚度。

4.根据权利要求1所述的单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述面刻光子晶体图形的缺陷腔结构是单孔缺陷腔，或者是7孔缺陷腔，或者是拉伸的各缺陷腔。

5.根据权利要求1所述的单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光子晶体垂直腔面发射激光器中的光子晶体所在区域既是高损耗区，也是耦合区。

6.根据权利要求1所述的单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述上环形电极蒸镀在上DBR上的p型盖层的表面，所述下电极蒸镀在n型衬底的下表面。

7.根据权利要求1所述的单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述上环形电极材料为TiAu合金，下电极材料为AuGeNiAu合金。

8.根据权利要求1所述的单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述下DBR的反射率比上DBR的反射率高。

9.根据权利要求1所述的单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，该光子晶体垂直腔面发射激光器的工作波长覆盖深紫外到远红外波段。