[发明专利]用于氢气制造用过滤器的薄膜支持基板及氢气制造用过滤器制造方法无效
| 申请号： | 200810110282.5 | 申请日： | 2003-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101318110A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 八木裕;前田高德;太田善纪;内田泰弘 | 申请（专利权）人： | 大日本印刷株式会社 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨松龄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氢气制造用过滤器的制造方法，包括：给具有多个贯通孔的导电性基体材料的该贯通孔中填充树脂部件的填充工序；在所述导电性基体材料的一个面上，通过无电解电镀及真空成膜法中的任何一种，使Pd合金膜成膜，形成导电性基底层的基底形成工序；在所述导电性基底层上通过电镀形成Pd合金膜的膜形成工序；以及只溶解所述树脂部件将其除去的除去工序。因此，可制造出用于燃料电池的改性器的、可稳定地进行高纯度氢气气体的生产的氢气制造用过滤器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氢气 制造 过滤器 薄膜 支持 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氢气制造用过滤器的制造方法，其特征是，包括：给具有多个贯通孔的导电性基体材料的该贯通孔中填充树脂部件的填充工序；在所述导电性基体材料的一个面上，通过无电解电镀及真空成膜法中的任何一种，使Pd合金膜成膜，形成导电性基底层的基底形成工序；在所述导电性基底层上通过电镀形成Pd合金膜的膜形成工序；以及只溶解所述树脂部件将其除去的除去工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本印刷株式会社，未经大日本印刷株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810110282.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
