[发明专利]HEMT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810110136.2 | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101604704A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 张乃千 | 申请（专利权）人： | 张乃千 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李 峥;刘瑞东 |
| 地址： | 710075陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了HEMT器件以及用于制造HEMT器件的方法。根据本发明的一个方面，提供了一种HEMT器件，包括：在衬底上的缓冲层；在上述缓冲层上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；与上述半导体层接触的源极和漏极；以及在上述源极和漏极之间的栅极；其中，在上述栅极下方的上述半导体层中的沟道被夹断。 | ||
| 搜索关键词： | hemt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种HEMT器件，包括：在衬底上的缓冲层；在上述缓冲层上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；与上述半导体层接触的源极和漏极；以及在上述源极和漏极之间的栅极；其中，在上述栅极下方的上述半导体层中的沟道被夹断。
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