[发明专利]HEMT器件及其制造方法

权利要求书

1.一种增强型HEMT器件，包括：

在衬底上的包括AlGaN的缓冲层；

在上述缓冲层上的包括GaN的半导体层；

在上述半导体层上的隔离层，上述隔离层为双层结构，上述隔离层的 下层包括AlGaN，上述隔离层的上层包括AlGaN，上述隔离层的上层的 Al组分大于上述隔离层的下层的Al组分；

与上述半导体层接触的源极和漏极；以及

在上述源极和漏极之间的栅极；

其中，在上述栅极下方的上述半导体层中的沟道被夹断。

2.根据权利要求1所述的增强型HEMT器件，其中，上述栅极在 上述隔离层的上层中形成。

3.根据权利要求1所述的增强型HEMT器件，其中，上述隔离层 的下层的Al组分接近于上述缓冲层的Al组分。

4.根据权利要求3所述的增强型HEMT器件，其中，上述隔离层 的上层的Al组分在远离上述隔离层的下层的方向上逐渐升高。

5.根据权利要求3所述的增强型HEMT器件，其中，上述缓冲层 的Al组分在5％至15％之间。

6.根据权利要求3所述的增强型HEMT器件，其中，上述隔离层 的上层的Al组分在25％至45％之间。

7.根据权利要求1所述的增强型HEMT器件，其中，上述半导体 层具有不会使其发生晶格松弛的厚度。

8.根据权利要求7所述的增强型HEMT器件，其中，上述半导体 层的厚度在10nm至30nm之间。

9.根据权利要求1-8中任何一项所述的增强型HEMT器件，其中， 上述沟道包括在上述半导体层中形成的二维电子气，以及在上述沟道被夹 断的区域没有形成二维电子气。

10.根据权利要求2-8中任何一项所述的增强型HEMT器件，其中， 上述栅极具有在上述隔离层的上层中的凹槽中形成的场板结构。

11.根据权利要求10所述的增强型HEMT器件，其中，上述凹槽具 有斜坡。

12.根据权利要求10所述的增强型HEMT器件，还包括在上述栅极 下的介质层。

13.根据权利要求12所述的增强型HEMT器件，其中，上述介质层 包括SiN。

14.根据权利要求2-8中任何一项所述的增强型HEMT器件，还包 括在上述隔离层的上层和下层之间的蚀刻停止层。

15.根据权利要求14所述的增强型HEMT器件，其中，上述蚀刻停 止层包括AlN。

16.根据权利要求2-8中任何一项所述的增强型HEMT器件，还包 括在上述隔离层的上层上的介质层，其中，上述栅极具有在上述隔离层的 上层和上述介质层中的凹槽中形成的双重场板结构。

17.根据权利要求16所述的增强型HEMT器件，其中，上述凹槽具 有斜坡，以及在上述介质层中的凹槽比在上述隔离层的上层中的凹槽宽。

18.根据权利要求16所述的增强型HEMT器件，其中，上述介质层 包括SiN。

19.一种用于制造增强型HEMT器件的方法，包括以下步骤：

在衬底上沉积包括AlGaN的缓冲层；

在上述缓冲层上沉积包括GaN的半导体层；

在上述半导体层上沉积第一隔离层，上述第一隔离层包括AlGaN；

在上述第一隔离层上沉积第二隔离层，上述第二隔离层包括AlGaN， 上述第二隔离层的Al组分大于上述第一隔离层的Al组分；

形成与上述半导体层接触的源极和漏极；以及

在上述源极和漏极之间形成栅极；

其中，在上述栅极下方的上述半导体层中的沟道被夹断。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，上述第一隔离层的Al组分 接近于上述缓冲层的Al组分。