[发明专利]带有互连装置的半导体子组件及制造该互连装置的方法无效

专利信息
申请号: 200810109708.5 申请日: 2008-06-06
公开(公告)号: CN101330079A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: T·G·沃德;E·P·扬科斯基 申请(专利权)人: 通用汽车环球科技运作公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/488;H01L21/60;H01L21/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 陈江雄;刘华联
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及在高功率、交流电动机应用中用于反相器电路的切换模块中的半导体子组件,提供一种带有互连装置的半导体子组件及制造该互连装置的方法。该半导体子组件包括:晶片,其具有对置的第一金属化面和第二金属化面;半导体开关器件,其电联接至晶片的第一金属化面并具有至少一个电极区域;及互连装置,其接合至该半导体开关器件。该互连装置包括:第一金属层,其接合至该半导体开关器件的至少一个电极区域;陶瓷层,其接合至第一金属层,陶瓷层限定了一个用于接入第一金属层的通路;第二金属层,其接合至陶瓷层;及导电物质,其设置在陶瓷层的通路内以将第一金属层电联接至第二金属层。
搜索关键词: 带有 互连 装置 半导体 组件 制造 方法
【主权项】:
1.一种在高功率、交流电动机应用中用于反相器电路的切换模块中的半导体子组件,所述半导体子组件包括:晶片,其具有对置的第一金属化面和第二金属化面;半导体开关器件,其电联接至所述晶片的所述第一金属化面,并具有至少一个电极区域;及互连装置,其接合至所述半导体开关器件,且包括:第一金属层,其接合至所述半导体开关器件的所述至少一个电极区域;陶瓷层,其接合至所述第一金属层,所述陶瓷层限定了接入所述第一金属层的通路;第二金属层,其接合至所述陶瓷层;及导电物质,其设置在所述陶瓷层的所述通路内以将所述第一金属层电联接至所述第二金属层,以使所述第二金属层形成用于所述半导体开关器件的所述至少一个电极区域的接触垫。
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