[发明专利]带有互连装置的半导体子组件及制造该互连装置的方法

权利要求书

1.一种在高功率、交流电动机应用中用于反相器电路的切换模块中的半导体子组件，所述半导体子组件包括：

晶片，其具有对置的第一金属化面和第二金属化面；

半导体开关器件，其电联接至所述晶片的所述第一金属化面，并具有至少一个电极区域；及

互连装置，其接合至所述半导体开关器件，且包括：

第一金属层，其接合至所述半导体开关器件的所述至少一个电极区域；

陶瓷层，其接合至所述第一金属层，所述陶瓷层限定了接入所述第一金属层的通路；

第二金属层，其接合至所述陶瓷层；及

导电物质，其设置在所述陶瓷层的所述通路内以将所述第一金属层电联接至所述第二金属层，以使所述第二金属层形成用于所述半导体开关器件的所述至少一个电极区域的接触垫。

2.如权利要求1所述的半导体子组件，其特征在于：所述至少一个电极区域是栅电极区域。

3.如权利要求1所述的半导体子组件，其特征在于：所述导电物质充分地填充所述通路。

4.如权利要求2所述的半导体子组件，其特征在于：所述第二金属层包括覆盖所述导电物质的平坦部分。

5.如权利要求1所述的半导体子组件，其特征在于：所述导电物质大致为球形。

6.如权利要求5所述的半导体子组件，其特征在于：所述第二金属层包括覆盖所述导电物质的部分，所述部分凹陷成接触所述球形导电物质。    

7.如权利要求1所述的半导体子组件，其特征在于：所述陶瓷层具有限定第一面积的第一表面，且所述第二金属层具有限定第二面积的第一表面，所述第一面积近似等于所述第二面积。

8.如权利要求1所述的半导体子组件，其特征在于：所述半导体开关器件是IGBT。

9.如权利要求1所述的半导体子组件，其特征在于：所述导电物质是银。

10.如权利要求1所述的半导体子组件，其特征在于：所述导电物质是厚膜。

11.如权利要求1所述的半导体子组件，其特征在于：所述导电物质为圆柱形形状，且所述半导体子组件进一步包括使所述导电物质与所述第二金属层电连接的金属丝。

12.一种在高功率、交流电动机应用中用于反相器电路的半导体模块，所述半导体模块包括：

多个互连的半导体子组件，各半导体子组件包括：

晶片，其具有对置的第一金属化面和第二金属化面；

半导体开关器件，其电联接至所述第一金属化面，其中所述半导体开关器件包括栅电极区域及发射电极区域；及

互连装置，其接合至所述半导体开关器件，且包括：

第一金属层，其以导电方式接合至所述开关器件的所述栅电极区域；

陶瓷层，其接合至所述第一金属层，并限定了接入所述第一金属层的通路；

第二金属层，其接合至所述陶瓷层；及

导电物质，其设置在所述陶瓷层的所述通路内以将所述第一金属层电联接至所述第二金属层，以使所述第二金属层形成用于所述半导体开关器件的所述栅电极区域的接触垫。

13.如权利要求12所述的半导体模块，其特征在于：所述导电物质充分地填充所述通路。

14.如权利要求13所述的半导体模块，其特征在于：所述第二金属层包括覆盖所述导电物质的平坦部分。

15.如权利要求12所述的半导体模块，其特征在于：所述导电物质大致为球形。

16.如权利要求15所述的半导体模块，其特征在于：所述第二金属层包括覆盖所述导电物质的部分，所述部分凹陷成接触所述球形导电物质。

17.如权利要求12所述的半导体模块，其特征在于：所述陶瓷层具有限定第一面积的第一表面，且所述第二金属层具有限定第二面积的第一表面，所述第一面积近似等于所述第二面积。