[发明专利]多层陶瓷电容器烧制用材料、其制造方法和再生方法有效
| 申请号： | 200810109699.X | 申请日： | 2008-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101333113A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 冈田裕;大屋锁登志 | 申请（专利权）人： | 科发伦材料株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B41/89;C23C4/00;C04B35/64;F27D3/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;李建忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及多层陶瓷电容器烧制用材料、其制造方法和再生方法。所述制造方法包括以下工序：在SiC粉末原料中添加烧结后残碳率小于5.0重量％的量的有机粘合剂进行混合；加入水，进行混炼、成型；在1500℃～2400℃烧结；在氧浓度为2％以上的氧气氛下，于1350℃～1650℃烧制1小时～6小时；通过喷镀法在所形成的SiO2层表面形成由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。所述材料在SiC基材表面形成了SiO2层，表观气孔率为15％以上，表观比重为3.05～3.20，SiC含量为90重量％以上，并且，所述SiO2层表面形成有由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 电容器 烧制 用材 制造 方法 再生 | ||
【主权项】：
1.一种多层陶瓷电容器烧制用材料，其具有SiC基材和在所述SiC基材表面形成的SiO2层，其特征在于，所述多层陶瓷电容器烧制用材料的表观气孔率为15％以上，表观比重为3.05～3.20，SiC含量为90重量％以上，并且，至少在载放作为被烧制物的多层陶瓷电容器的部分的SiO2层表面，形成有由ZrO2或Al2O3中的至少一种构成的覆盖层。
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