[发明专利]多层陶瓷电容器烧制用材料、其制造方法和再生方法

说明书

技术领域

本发明涉及多层陶瓷电容器(Multiple Layer Ceramic Capacitor，以下 称作MLCC)的烧制和热处理工序中使用的装定件、搁板、箱体等SiC质 材料(SiC-based material)及其制造方法、再生方法。

背景技术

电子部件用陶瓷的烧制和热处理通常在1000℃～1400℃的温度范围 进行。因此，作为烧制用材料，使用莫来石(Al₂O₃-SiO₂)质、Al₂O₃-SiO₂-MgO 质、MgO-Al₂O₃-ZrO₂质、碳化硅(SiC)质等耐热性优异的陶瓷。这些之中， 特别是SiC质陶瓷是优异的材料，其在耐热强度和耐蠕变性方面优异。

但是，在烧制例如以钛酸钡(BaTiO₃)为主成份的MLCC等的情况下， 直接将被烧制物MLCC载放在上述那样的SiC质陶瓷的烧制用材料上， 因此，两者相接触，在1100℃以上的情况下，MLCC与所述材料的SiC 反应，容易发生变色等烧结异常或融合。

另一方面，MLCC的烧制中，必须在烧制作为主成份的氧化物BaTiO₃时不使电极材料氧化。所以，炉内气氛中的氧分压是重要的参数，但是， 在使用SiC质陶瓷的烧制用材料的情况下，有时由于SiC的氧化反应， 炉内的氧分压发生变动。

因此，MLCC的烧制中，过去使用表面由难反应性优异的ZrO₂等陶 瓷构成的材料，具体地说，使用陶瓷基材表面被Al₂O₃、ZrO₂等陶瓷覆盖 的材料。

可通过将所需的陶瓷浆料涂布在陶瓷基材上后，使用在高温烧镀的 方法，或者使用CVD法、喷镀法等在陶瓷基材上形成覆膜，从而得到这 种覆盖材料。这些方法中，从可以得到不易剥离的覆膜的角度出发，多 使用喷镀法。

具体地说，例如专利文件1、2等中公开了在耐热强度和耐蠕变性优 异的SiC质陶瓷基材表面喷镀有Al₂O₃、Al₂O₃-SiC、ZrO₂等的烧制用材 料(热处理用夹具)。

另外，专利文献3中公开了表面形成有SiO₂层的高气孔率的SiC质 基材经喷镀覆盖ZrO₂或Al₂O₃得到的烧制用材料。

专利文件1：日本特开2001-278685号公报

专利文件2：日本特开2003-306392号公报

专利文件3：日本特开2006-117472号公报

专利文件4：日本特开2002-145671号公报

但是，上述专利文件1中记载的烧制用材料的SiC质陶瓷基材是气 孔率低的致密体，为了与喷镀膜密合，需要对表面进行粗面化，其工序 变得复杂，并且需要成本。

另一方面，MLCC的烧制中，为了实现低成本化，要求有效使用炉 内的空间、通过迅速升温来提高生产效率等。因此，对于烧制用材料， 要求其薄壁化、低热容量化，但上述专利文件2记载的那样构成的多层 烧制用材料的薄壁化有限。

另外，近年来，以BaTiO₃为主成份的片形MLCC明显地小型化， 其容易受到烧制时炉内气氛的变动的影响，即使是上述专利文件3记载 的烧制用材料，也不能充分防止上述那样的SiC基材因氧化反应等而出 现的变色等烧结异常。特别是其不适合重复使用。

另外，专利文献1的材料虽然使用中很少发生基材自身的开裂、变 形，但是，有时却因为覆膜剥离或与被烧制品的反应而导致不能再用。 不能再用的材料的基材自身是能再用的，从降低使用材料的烧制成本和 减少废弃物的观点出发，废弃该材料不是优选的。

因此，优选如专利文献4记载的发明那样重复利用材料。