[发明专利]功率半导体模块有效
| 申请号： | 200810109175.0 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101312166A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | R·波普;M·莱德勒 | 申请（专利权）人： | 塞米克朗电子有限及两合公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H05K5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 沈英莹 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述一种功率半导体模块(10)，包括一基片(12)和一杯形的壳体(14)，其中壳体(14)的环绕环的杯边缘(16)成阶梯地构成有一加高的外边缘(18)和一相对其凹陷的内边缘(20)，它们通过一阶梯表面(22)相互连接。内边缘(20)可以构成有多个凸出部(24)，并且外边缘(18)构成有多个防扭转凸头(26)。基片(12)以其邻接其外边缘(28)内侧的边缘区域(30)贴紧于各凸出部(24)。阶梯表面(22)在壳体(14)的环绕的杯边缘(16)的各角区域(32)内分别构成有保角弯曲的扩大部(34)，从而可靠地避免基片(12)的各角(44)与杯边缘(16)的角区域(22)之间的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
1.功率半导体模块(10)，包括一基片(12)和一杯形的壳体(14)，其中壳体(14)的杯边缘(16)成阶梯地构成有一环绕的加高的外边缘(18)和一相对外边缘(18)凹陷的内边缘(20)，它们通过一阶梯表面(22)相互连接；其特征在于，阶梯表面(22)在壳体(14)的杯边缘(16)的各角区域(32)内分别构成有保角弯曲的扩大部(34)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于塞米克朗电子有限及两合公司，未经塞米克朗电子有限及两合公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810109175.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
