[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810109113.X | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101393937A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可高精度进行寿命控制的半导体装置，其中，PIN二极管(2)由阳极(6、P层3、I层4、N层5)与阴极(7)构成。在正向偏压状态下注入的载流子的密度较高的pn结附近的区域或者n+n结附近的区域，作为具有成为再结合中心的结晶缺陷的规定膜，形成有多晶硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，包括：阳极部，包含第一导电型的第一区域；阴极部，包含第二导电型的第二区域；中间部，位于所述阳极部和所述阴极部之间，并分别与所述阳极部和所述阴极部接合；以及规定的膜，具有结晶缺陷，该规定的膜形成在所述阳极部侧的部分及所述阴极部侧的部分中的至少一侧的部分，其中存在高密度的载流子，该高密度的载流子的密度在正向偏压状态下比存在于所述中间部的厚度方向中央附近的载流子的密度还高。
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