[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种PIN二极管，包括：

阳极部，包含第一导电型的第一区域；

阴极部，包含第二导电型的第二区域；

中间部，位于所述阳极部和所述阴极部之间，并分别与所述阳极部和所述阴极部接合；以及

多晶硅膜及非晶体硅膜中的至少一种膜，具有结晶缺陷，该多晶硅膜及非晶体硅膜中的至少一种膜形成在所述阳极部侧的部分及所述阴极部侧的部分中的至少一侧的部分，其中存在高密度的载流子，该高密度的载流子的密度在正向偏压状态下比存在于所述中间部的厚度方向中央附近的载流子的密度还高。

2.如权利要求1所述的PIN二极管，其中，

所述中间部包含：

硅基板；

第二导电型的第三区域，以与所述硅基板的表面相接触的方式，形成于所述硅基板的表面上，且与所述第一区域接合，

所述第一区域及所述第三区域由所述多晶硅膜及非晶体硅膜中的至少一种膜形成。

3.如权利要求1所述的PIN二极管，其中，

所述中间部包含：

硅基板；

第二导电型的第三区域，以与所述硅基板的表面相接触的方式，选择性地形成于所述硅基板的表面上，

所述第一区域以与所述第三区域的表面接合的方式形成，

所述第一区域及所述第三区域由所述多晶硅膜及非晶体硅膜中的至少一种膜形成。

4.如权利要求3所述的PIN二极管，其中，

在未形成所述第一区域及所述第三区域的所述硅基板部分，从所述硅基板的表面至规定的深度形成有第二导电型的第四区域。

5.如权利要求2所述的PIN二极管，其中，

所述第一区域及所述第三区域，以选择性地包含规定厚度的第一部分和比所述规定厚度薄的第二部分的方式，形成于所述硅基板的表面上。

6.如权利要求1所述的PIN二极管，其中，

所述中间部包含：

硅基板；

第一导电型的第五区域，从所述硅基板的表面至规定的深度而形成，且与所述第一区域接合，

所述第一区域由所述多晶硅膜及非晶体硅膜中的至少一种膜形成。

7.如权利要求6所述的PIN二极管，其中，

所述第一区域选择性地形成在所述硅基板的表面上，

所述第五区域，以与所述第一区域对应的方式，选择性地形成在位于所述第一区域的正下方的所述硅基板部分。

8.如权利要求7所述的PIN二极管，其中，

在未形成所述第一区域及所述第五区域的所述硅基板部分，从所述硅基板的表面至规定的深度形成有第二导电型的第六区域。

9.如权利要求1所述的PIN二极管，其中，

所述中间部包含：

硅基板；

第二导电型的第七区域，以与所述硅基板的表面相接触的方式，形成于所述硅基板的表面上，且与所述第二区域接合，

所述第二区域及所述第七区域由所述多晶硅膜及非晶体硅膜中的至少一种膜形成。

10.如权利要求1所述的PIN二极管，其中，

所述中间部包含：

硅基板；

第二导电型的第七区域，以与所述硅基板的表面相接触的方式，选择性地形成于所述硅基板的表面上，

所述第二区域以与所述第七区域的表面接合的方式形成，

所述第二区域及所述第七区域由所述多晶硅膜及非晶体硅膜中的至少一种膜形成。

11.如权利要求10所述的PIN二极管，其中，

在未形成所述第二区域及所述第七区域的所述硅基板部分，从所述硅基板的表面至规定的深度形成有第一导电型的第八区域。

12.如权利要求9所述的PIN二极管，其中，

所述第二区域及所述第七区域，以选择性地包含规定厚度的第一部分和比所述规定厚度薄的第二部分的方式，形成于所述硅基板的表面上。

13.如权利要求12所述的PIN二极管，其中，

在所述第二部分，从所述第二部分的表面至规定的深度形成有第一导电型的第八区域。