[发明专利]蚀刻剂及控制晶片的回收方法有效
| 申请号： | 200810108607.6 | 申请日： | 2008-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101423761A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 俞台勇;苏裕盛;许立德;梁镜麟;苏斌嘉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;H01L21/00;H01L21/311;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及用来移除形成于半导体衬底上，具有多个孔洞的低电介质系数电介质层的蚀刻剂及控制晶片的回收方法，该蚀刻剂包括：以氢氟酸为基底的溶剂、膨胀剂以及钝化剂。其中膨胀剂用来扩张形成于低电介质系数电介质层中的孔洞。钝化剂用来在低电介质系数电介质层和半导体衬底之间的界面形成钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 控制 晶片 回收 方法 | ||
【主权项】：
1、一种蚀刻剂，用来移除形成于一半导体衬底上，具有多个孔洞的一低电介质系数电介质层，其特征在于，该蚀刻剂包括：一以氢氟酸为基底的溶剂；一膨胀剂，用来扩张形成于该低电介质系数电介质层中的所述孔洞；以及一钝化剂，用来在该低电介质系数电介质层和该半导体衬底之间的界面形成一钝化层。
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