[发明专利]蚀刻剂及控制晶片的回收方法

权利要求书

1.一种蚀刻剂，用来移除形成于一半导体衬底上，具有多个孔洞的一低电介质系数电介质层，其特征在于，该蚀刻剂包括：

一以氢氟酸为基底的溶剂；

一膨胀剂，用来扩张形成于该低电介质系数电介质层中的所述孔洞；以及

一钝化剂，用来在该低电介质系数电介质层和该半导体衬底之间的界面形成一钝化层。

2.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其特征在于，该以氢氟酸为基底的溶剂，包括卤素-碳氢化合物及氢氧-芳香烃化合物其中之一。

3.根据权利要求2所述的蚀刻剂，其特征在于，该卤素-碳氢化合物包括卤素-芳香烃化合物。

4.根据权利要求2所述的蚀刻剂，其特征在于，该以氢氟酸为基底的溶剂，还包括氧化剂，其中该氧化剂包括氯铬酸吡啶嗡盐、重铬酸嘧啶盐、过硫酸、环丁砜、硝酸、双氧水及硫酸其中之一。

5.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其特征在于，该膨胀剂包括乙二醇醚类，其中该乙二醇醚类包括1-(2-丁氧乙氧基)乙醇、丁氧乙氧基二乙二醇、二乙二醇单丁醚及聚乙二醇单丁醚其中之一。

6.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其特征在于，该钝化剂包括聚乙二醇、乙二醇；1，4-二氧六环和甘油其中之一。

7.一种控制晶片的回收方法，该控制晶片具有一低电介质系数电介质层形成于一半导体衬底上，且该低电介质系数电介质层具有多个孔洞，其特征在于，该控制晶片的回收方法包括：

将该控制晶片浸泡于一以氢氟酸为基底的蚀刻剂中以移除该低电介质系数电介质层，其中该以氢氟酸为基底的蚀刻剂包括一膨胀剂以及一钝化剂；

以膨胀剂来扩张形成于该低电介质系数电介质层中的所述孔洞，受扩张后的一部分所述孔洞会相互连通而形成多个通道，延伸通过该低电介质系数电介质层；以及

以该钝化剂在该低电介质系数电介质层和该半导体衬底之间的界面形成一钝化层，其中低电介质系数电介质层的蚀刻、所述孔洞的扩张与该钝化层的 形成，同时发生，因此该钝化层可以保护该半导体衬底，免于被该以氢氟酸为基底的蚀刻剂的蚀刻。

8.根据权利要求7所述的控制晶片的回收方法，其特征在于，还包括通过去离子水的润湿以去除形成于该半导体衬底上的该钝化层，留下干净的该半导体衬底。

9.根据权利要求7所述的控制晶片的回收方法，其特征在于，该以氢氟酸为基底的蚀刻剂的温度维持在23℃至60℃之间，且该控制晶片浸泡于该以氢氟酸为基底的蚀刻剂中的时间介于60秒至600秒之间。

10.根据权利要求7所述的控制晶片的回收方法，其特征在于，该以氢氟酸为基底的蚀刻剂，包括卤素-碳氢化合物及氢氧-芳香烃化合物其中之一。

11.根据权利要求10所述的控制晶片的回收方法，其特征在于，该卤素-碳氢化合物包括卤素-芳香烃化合物。

12.根据权利要求9所述的控制晶片的回收方法，其特征在于，该以氢氟酸为基底的蚀刻剂还包括氧化剂，其中该氧化剂包括氯铬酸吡啶嗡盐、重铬酸嘧啶盐、过硫酸、环丁砜、硝酸、双氧水及硫酸其中之一。

13.根据权利要求9所述的控制晶片的回收方法，其特征在于，该膨胀剂包括乙二醇醚类，其中该乙二醇醚类包括1-(2-丁氧乙氧基)乙醇、丁氧乙氧基二乙二醇、二乙二醇单丁醚及聚乙二醇单丁醚其中之一。

14、根据权利要求8所述的控制晶片的回收方法，其特征在于，该钝化剂包括聚乙二醇、乙二醇、1，4-二氧六环和甘油其中之一。