[发明专利]利用硅的局部氧化技术制造的双栅极结构有效
| 申请号： | 200810108539.3 | 申请日： | 2008-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101320753A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 戴嵩山;胡永中 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华;翁若莹 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用硅的局部氧化技术制造的双栅极结构，其是一种沟道型半导体功率器件，该器件包括被源区围绕的沟道栅极，该源区被包围在漏区上方的体区内，该漏区设置在衬底的底部表面上。所述沟道栅极进一步包括至少两个相互绝缘的沟道填充节段，底部绝缘层围绕底部沟道填充节段，该底部沟道填充节段在附接到在底部沟道填充节段的顶表面上方延伸的沟道的侧壁的底部绝缘层的顶部上具有鸟喙形层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 局部 氧化 技术 制造 栅极 结构 | ||
【主权项】：
1.一种沟道型半导体功率器件，其特征在于，该器件包括被源区围绕的沟道栅极，所述的源区被包围在漏区上方的体区内，该漏区设置在衬底的底部表面上，其中，所述的沟道栅极进一步包括至少两个相互绝缘的沟道填充节段，底部绝缘层围绕底部沟道填充节段，该底部沟道填充节段在附接到在其顶表面上方延伸的所述沟道侧壁的底部绝缘层的顶部具有鸟喙形层。
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