[发明专利]一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器无效
申请号: | 200810105176.8 | 申请日: | 2008-04-29 |
公开(公告)号: | CN101281953A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 康晋锋;杨竞峰;刘力锋;孙兵;刘晓彦;王漪;韩汝琦;王阳元 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种具有稳定阻变特性的材料以及阻变存储器,属于半导体非挥发性存储器技术领域。该阻变材料为掺入了银的二氧化硅薄膜或掺入了银的氮化硅薄膜。阻变材料的Ag粒子会朝着电极的方向运动并在电极处堆积。只要外加电压不撤销,堆积的银粒子将越来越多并向另一端的电极延伸。当堆积的银粒子将两端电极连通的时候,阻变层就由高阻态转向了低阻态。因此,本发明阻变材料以Ag粒子运动组合的方式形成导电通道,使阻变材料的电阻转变的稳定性大幅提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 稳定 特性 材料 存储器 | ||
【主权项】:
1、一种具有稳定阻变特性的材料,其特征在于,该材料为掺入了银的二氧化硅薄膜或掺入了银的氮化硅薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810105176.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。