[发明专利]一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器无效
| 申请号： | 200810105176.8 | 申请日： | 2008-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101281953A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;杨竞峰;刘力锋;孙兵;刘晓彦;王漪;韩汝琦;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 稳定 特性 材料 存储器 | ||
【权利要求书】：
1、一种具有稳定阻变特性的材料，其特征在于，该材料为掺入了银的二氧化硅薄膜或掺入了银的氮化硅薄膜。
2、如权利要求1所述的材料，其特征在于，所述材料中，银的质量百分比含量在0.1％～10％之间。
3、一种阻变存储器，包括底电极、顶电极以及位于上述底电极和顶电极之间的阻变材料层，其特征在于，所述阻变材料层为掺入了银的二氧化硅薄膜或掺入了银的氮化硅薄膜。
4、如权利要求3所述的阻变存储器，其特征在于，阻变材料层的厚度在10nm～100nm之间。
5、如权利要求3或4所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变材料层中，银的质量百分比含量在0.1％～10％之间。
6、如权利要求3所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极和底电极采用金属Pt，Ti，Ni，W或TiN材料。
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