[发明专利]一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器无效
| 申请号： | 200810105175.3 | 申请日： | 2008-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101281952A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;杨竞峰;刘力锋;孙兵;刘晓彦;王漪;韩汝琦;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器，属于半导体非挥发性存储器技术领域。该材料为掺入+3价金属元素离子的HfO2、ZrO2或CeO2薄膜。阻变材料中HfO2、ZrO2和CeO2是晶格结构稳定，缺陷态较少的材料，Hf、Zr、Ce离子均呈+4价。在HfO2、ZrO2或CeO2中掺入+3价的金属元素离子，可以人为地引入缺陷。因此，通过使用掺入+3价金属元素离子的HfO2、ZrO2或CeO2薄膜作阻变层，人为地控制缺陷产生的浓度，可有效地提高阻变存储的稳定性和可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 稳定 特性 材料 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种具有稳定阻变特性的材料，其特征在于，该材料为掺入+3价金属元素离子的HfO2、ZrO2或CeO2薄膜。
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