[发明专利]一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器无效
| 申请号： | 200810105175.3 | 申请日： | 2008-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101281952A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;杨竞峰;刘力锋;孙兵;刘晓彦;王漪;韩汝琦;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 稳定 特性 材料 存储器 | ||
【权利要求书】：
1、一种具有稳定阻变特性的材料，其特征在于，该材料为掺入+3价金属元素离子的HfO2、ZrO2或CeO2薄膜。
2、如权利要求1所述的材料，其特征在于，所述材料中，掺入的+3价金属元素离子的质量百分比含量在0.1％～10％之间。
3、如权利要求1或2所述的材料，其特征在于，所述+3价金属元素为铝、镓、铟、钆或钇。
4、一种阻变存储器，包括底电极、顶电极以及位于上述底电极和顶电极之间的阻变材料层，其特征在于，所述阻变材料层为掺入+3价金属元素离子的HfO2、ZrO2或CeO2薄膜。
5、如权利要求4所述的阻变存储器的阻变材料，其特征在于，所述+3价金属元素为铝、镓、铟、钆或钇。
6、如权利要求4所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变材料层的厚度在10nm～100nm之间。
7、如权利要求4或6所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变材料层中，掺入的+3价金属元素离子的质量百分比含量在0.1％～10％之间。
8、如权利要求4或5所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极和底电极采用TiN、TaN、HfN或IrO2材料。
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