[发明专利]HBT工艺中介质平面平坦化的方法有效
| 申请号： | 200810104228.X | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101562136A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种异质结双极性晶体管(HBT)工艺中介质平面平坦化的方法，包括：A.在已进行发射极金属蒸发、发射极腐蚀、基极金属蒸发、基极和集电极腐蚀、隔离腐蚀，以及基极和集电极接线柱制作的基础上，旋涂介质层；B.在高温下进行介质固化；C.将基片放在等离子体下，用干法刻蚀介质，直到露出发射极金属顶面和接线柱；D.在介质表面旋涂光刻胶；E.光刻、显影，形成布线图形；F.蒸发布线金属；G.进行布线金属的剥离。利用本发明，能有效提高器件的成品率，避免微空气桥制作中的不稳定性，对提高器件性能的一致性有很大的作用。 | ||
| 搜索关键词： | hbt 工艺 介质 平面 平坦 方法 | ||
【主权项】：
1、一种异质结双极性晶体管HBT工艺中介质平面平坦化的方法，其特征在于，该方法包括：A、在已进行发射极金属蒸发、发射极腐蚀、基极金属蒸发、基极和集电极腐蚀、隔离腐蚀，以及基极和集电极接线柱制作的基础上，旋涂介质层；B、在高温下进行介质固化；C、将基片放在等离子体下，用干法刻蚀介质，直到露出发射极金属顶面和接线柱；D、在介质表面旋涂光刻胶；E、光刻、显影，形成布线图形；F、蒸发布线金属；G、进行布线金属的剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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