[发明专利]HBT工艺中介质平面平坦化的方法

权利要求书

1.一种异质结双极性晶体管HBT工艺中介质平面平坦化的方法， 其特征在于，该方法包括：

A、在已进行发射极金属蒸发、发射极腐蚀、基极金属蒸发、基极 和集电极腐蚀、隔离腐蚀，以及基极和集电极接线柱制作的基础上， 旋涂介质层；其中，在旋涂介质层之前，器件的发射极金属顶部、基 极、集电极接线柱的顶部的高度相同；

B、在高温下进行介质固化；

C、将基片放在等离子体下，用干法刻蚀介质，直到露出发射极金 属顶面和接线柱；

D、在介质表面旋涂光刻胶；

E、光刻、显影，形成布线图形；

F、蒸发布线金属；

G、进行布线金属的剥离。

2.根据权利要求1所述的HBT工艺中介质平面平坦化的方法， 其特征在于，步骤A中所述旋涂介质层采用的是聚酰亚胺或BCB作为 介质，采用匀胶机进行旋涂，介质层的厚度为1.5至5微米，介质层的 厚度高于从衬底到发射极顶端的高度。

3.根据权利要求1所述的HBT工艺中介质平面平坦化的方法， 其特征在于，步骤B中所述介质固化采用烘箱、热板、合金炉或退火 炉，所述固化温度在100至400摄氏度之间，时间在10至120分之间， 且固化时在惰性气体氮气、氩气的保护下进行。

4.根据权利要求1所述的HBT工艺中介质平面平坦化的方法， 其特征在于，步骤C中所述刻蚀采用能产生等离子体的设备RIE、ICP 以及Sputter进行，刻蚀时采用的气体为氧气或包含有氧气的混合气体， 所述刻蚀过程中进一步采取光学显微镜、电子显微镜或光谱学的方法 进行刻蚀的监控，刻蚀直到露出发射极金属顶面、基极和集电极的接 线柱为止。

5.根据权利要求1所述的HBT工艺中介质平面平坦化的方法， 其特征在于，步骤D中所述光刻胶为正胶，负胶或反转胶，光刻胶采 用匀胶机进行旋涂，厚度通过转速控制，光刻胶的厚度为0.5至4微米。

6.根据权利要求1所述的HBT工艺中介质平面平坦化的方法， 其特征在于，所述步骤E包括：

将涂敷有光刻胶的基片在50至120摄氏度下烘烤10至300秒， 以去除光刻胶中的溶剂；

将烘烤后的基片在G、H、I线光源的接触式曝光机或投影光刻机 下曝光；

将曝光后的基片放在显影液中显影；

将显影后的基片在去离子水中冲洗干净，用氮气吹干。

7.根据权利要求1所述的HBT工艺中介质平面平坦化的方法， 其特征在于，步骤F中所述蒸发采用电子束蒸发、溅射或电镀方法， 蒸发的布线金属为Au、Cu、Al或其合金，布线金属的厚度为0.4至3 微米。

8.根据权利要求1所述的HBT工艺中介质平面平坦化的方法， 其特征在于，步骤G中所述布线金属的剥离采用在有机溶剂中浸泡的 方式进行，该有机溶剂为能溶解光刻胶的丙酮、S1165剥离液。

9.根据权利要求1所述的HBT工艺中介质平面平坦化的方法， 其特征在于，步骤G中所述进行布线金属的剥离进一步采用加速剥离 的方式，采取加热或有机溶剂喷淋方法。