[发明专利]用于微流体器件气体排出的分布式排气装置及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810103613.2 申请日: 2008-04-09
公开(公告)号: CN101554543A 公开(公告)日: 2009-10-14
发明(设计)人: 王景明;翟锦;宋延林;江雷 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: B01D19/00 分类号: B01D19/00;C23C14/26;C23F1/16
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 李 柏
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及用于微流体器件气体排出的装置及其制备方法,特别涉及一种用于微流体器件气体排出的分布式排气装置及其制备方法。本发明的装置是在表面生长有低表面能物质层的具有纳米多孔结构的高分子滤膜的两面,分别粘结具有微米级孔道结构且外表面经氧化反应后形成亲液层的金属或非金属片,高分子滤膜上的纳米级的孔对应上下金属或非金属片上的微米级孔道;所述的微米级孔道的内壁修饰有低表面能物质疏液层。本发明通过将具有纳米多孔结构的高分子滤膜和微米级孔道的金属或非金属片引入微流体器件,实现了气泡从气液混合体系分布式的排除,省去了通常用于宏观体系的附加分离装置。
搜索关键词: 用于 流体 器件 气体 排出 分布式 排气装置 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种用于微流体器件气体排出的分布式排气装置,其特征是:在表面生长有低表面能物质层的具有纳米多孔结构的高分子滤膜的两面,分别粘结具有微米级孔道结构且外表面经氧化反应后形成亲液层的金属或非金属片,高分子滤膜上的纳米级的孔对应上下金属或非金属片上的微米级孔道;所述的微米级孔道的内壁修饰有低表面能物质疏液层;所述的低表面能物质选自CF3(CF2)7CH2CH2-Si(OCH3)3,CF3-(CF2)5(CH2)2SiCl3,C6F13(CH2)2Si(OCH3)3,C10H21Si(OC2H5)3,C18H37Si(OCH3)3及特氟龙中的一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院化学研究所,未经中国科学院化学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810103613.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top