[发明专利]一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜无效
| 申请号： | 200810103498.9 | 申请日： | 2008-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101256283A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 姚军;王大甲;邱传凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G02B26/08 | 分类号： | G02B26/08;G02B26/06 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 贾玉忠;卢纪 |
| 地址： | 61020*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其中SOI晶片从上到下包括硅器件层、二氧化硅层、硅衬底层，其特征在于：镜面位于SOI晶片的硅器件层之上；镜面和SOI晶片之间是通过连接杆来连接；上极板形成在SOI晶片的硅器件层上；下极板所在的硅或玻璃衬底位于SOI晶片下方；SOI晶片的硅衬底层通过键合物键合到下极板所在衬底上构成变形镜的驱动结构的支撑部分；硅器件层下面的二氧化硅层和硅衬底层被掏空作为驱动器的行程空间；本发明的静电驱动MEMS变形镜不会受到静电拉入(pull－in)现象的影响，能够获得大的行程，能够应用于各种自适应光学系统，提高光学系统的成像质量，具有十分重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 晶片 静电 驱动 mems 变形 | ||
【主权项】：
1、一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其中SOI晶片从上到下包括硅器件层(2)、二氧化硅层(3)、硅衬底层(4)，其特征在于：镜面(1)位于SOI晶片的硅器件层(2)之上，镜面(1)和SOI晶片之间是通过连接杆(6)来连接，上极板(7)形成在SOI晶片的硅器件层(2)上，下极板(8)所在的衬底(9)位于SOI晶片的下方，SOI晶片的硅衬底层(4)通过键合物(5)键合到衬底(9)上构成变形镜驱动结构的支撑部分，硅器件层(2)下面的二氧化硅层(3)和硅衬底层(4)被掏空作为驱动结构的行程空间。
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