[发明专利]一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜

权利要求书

1、一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其中SOI晶片从上到下包括硅器件层(2)、二氧化硅层(3)、硅衬底层(4)，其特征在于：镜面(1)位于SOI晶片的硅器件层(2)之上，镜面(1)和SOI晶片之间是通过连接杆(6)来连接，上极板(7)形成在SOI晶片的硅器件层(2)上，下极板(8)所在的衬底(9)位于SOI晶片的下方，SOI晶片的硅衬底层(4)通过键合物(5)键合到衬底(9)上构成变形镜驱动结构的支撑部分，硅器件层(2)下面的二氧化硅层(3)和硅衬底层(4)被掏空作为驱动结构的行程空间。

2、根据权利要求1所述的一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其特征在于：所述的镜面(1)的材料为多晶硅或金属。

3、根据权利要求1所述的一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其特征在于：所述的镜面(1)可以是连续或分离的。

4、根据权利要求1所述的一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其特征在于：所述的衬底(9)的材料为硅或玻璃。

5、根据权利要求1所述的一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其特征在于：所述的下极板(8)的其材料是硅或金属。

6、根据权利要求1所述的一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其特征在于：所述的驱动结构还包括上极板(7)、下极板(8)以及二氧化硅层(3)。

7、根据权利要求1所述的一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其特征在于：所述的上极板(7)是通过对SOI晶片的硅器件层(2)掺杂、刻蚀而形成，由悬臂梁结构(10)来支撑；下极板(8)是通过沉积或镀膜、刻蚀而形成在衬底(9)上的。

8、根据权利要求1所述的一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其特征在于：所述的SOI晶片的二氧化硅层(3)和硅衬底层(4)被刻蚀成槽状空腔结构，该槽状空腔结构的几何中心与镜面(1)、连接杆(6)、上极板(7)以及下极板(8)的几何中心同轴。

9、根据权利要求1所述的一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其特征在于：所述的连接杆(6)是通过对镜面(1)的沉积而形成。