[发明专利]TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810101545.6 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101526707A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 王章涛;邱海军;闵泰烨 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84;G03F7/00;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法，制造方法为：在基板上沉积栅金属层，通过第一次构图工艺在显示区域形成栅电极和栅线，在栅线PAD区域形成栅连接线；连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过第二次构图工艺在显示区域的栅线和栅电极上形成栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层；沉积透明导电层，通过第三次构图工艺形成像素电极；连续沉积源漏金属层和钝化层，通过第四次构图工艺，在显示区域形成漏电极、源电极、数据线和TFT沟道，在数据线PAD区域形成数据连接线，使漏电极与像素电极搭接，在栅线PAD区域暴露出栅连接线，在数据线PAD区域暴露出数据连接线。本发明可有效地减少像素不良。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 板结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT-LCD阵列基板结构，包括在基板的显示区域形成的栅线和数据线，以及在基板的PAD区域形成的栅连接线和数据连接线，所述栅线和数据线的交叉处形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、源电极、漏电极和钝化层，其特征在于，还包括位于所述漏电极下方且与所述漏电极搭接的像素电极，所述半导体层位于所述栅线和栅电极上方的绝缘层上。
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