[发明专利]TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板结构制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属层，通过第一次构图工艺在显示区域形成栅电极和栅线图形，在栅线PAD区域形成栅连接线图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过第二次构图工艺在显示区域的栅线和栅电极上形成栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层图形；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积透明导电层，通过第三次构图工艺形成像素电极图形；

步骤4、在完成步骤3的基板上连续沉积源漏金属层和钝化层，通过第四次构图工艺，在显示区域形成漏电极、源电极、数据线和TFT沟道图形，在数据线PAD区域形成数据连接线，且使漏电极与像素电极搭接，在栅线PAD区域暴露出栅连接线，在数据线PAD区域暴露出数据连接线。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板结构制造方法，其特征在于，所述步骤2具体为：

步骤211、在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层；

步骤212、通过第二次构图工艺对掺杂半导体层和半导体层进行刻蚀，完全刻蚀掉栅线PAD区域和数据线PAD区域的半导体层和掺杂半导体层，在显示区域的栅线和栅电极上的栅绝缘层上形成半导体层和掺杂半导体层图形。

3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板结构制造方法，其特征在于，所述步骤3具体为：

步骤311、在完成步骤2的基板上沉积透明导电层；

步骤312、通过第三次构图工艺形成位于栅绝缘层上的像素电极图形。

4.根据权利要求3所述的TFT-LCD阵列基板结构制造方法，其特征在于，所述步骤4具体为：

步骤411、在完成步骤3的基板上连续沉积源漏金属层和钝化层；

步骤412、在完成步骤411的基板上涂敷一层光刻胶；

步骤413、采用半色调或灰色调掩模板进行光刻工艺，其中在显示区域和栅线PAD区域是普通光刻，在数据线PAD区域为半色调或灰色调光刻；

步骤414、通过第一次刻蚀工艺在显示区域形成漏电极、源电极、数据线和TFT沟道图形，且漏电极与像素电极搭接，在数据线PAD区域形成数据连接线图形，在栅线PAD区域刻蚀掉暴露出来的钝化层和源漏金属层，暴露出栅绝缘层；

步骤415、通过第二次刻蚀工艺去除数据线PAD区域由部分曝光形成的光刻胶，暴露出钝化层；

步骤416、通过第三次刻蚀工艺刻蚀栅线PAD区域的栅绝缘层，露出栅连接线，刻蚀数据线PAD区域的钝化层，露出数据连接线；

步骤417、通过光刻胶剥离工艺剥离剩余的光刻胶。

5.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板结构制造方法，其特征在于，所述步骤2具体为：

步骤221、在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层；

步骤222、通过第二次构图工艺对掺杂半导体层、半导体层和栅绝缘层进行刻蚀，完全刻蚀掉栅线PAD区域和数据线PAD区域的掺杂半导体层、半导体层和栅绝缘层，在显示区域的栅线和栅电极上形成半导体层、掺杂半导体层和栅绝缘层图形。

6.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板结构制造方法，其特征在于，所述步骤3具体为：

步骤321、在完成步骤2的基板上沉积透明导电层；

步骤322、通过第三次构图工艺形成位于基板上的像素电极图形。

7.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板结构制造方法，其特征在于，所述步骤4具体为：

步骤421、在完成步骤3的基板上连续沉积源漏金属层和钝化层；

步骤422、在完成步骤421的基板上涂敷一层光刻胶；

步骤423、采用半色调或灰色调掩模板进行光刻工艺，其中在显示区域和栅线PAD区域是普通光刻，在数据线PAD区域为半色调或灰色调光刻；

步骤424、通过第一次刻蚀工艺在显示区域形成漏电极、源电极、数据线和TFT沟道图形，且漏电极与像素电极搭接，在数据线PAD区域形成数据连接线图形，在栅线PAD区域刻蚀掉暴露出来的钝化层和源漏金属层，暴露出栅连接线；

步骤425、通过第二次刻蚀工艺去除数据线PAD区域由部分曝光形成的光刻胶，暴露出钝化层；

步骤426、通过第三次刻蚀工艺刻蚀数据线PAD区域的钝化层，露出数据连接线；

步骤427、通过光刻胶剥离工艺剥离剩余的光刻胶。