[发明专利]制备SnO2－ZnO异质纳米线的方法

摘要

本发明属于纳米氧化物半导体异质结构制备技术领域，特别涉及制备SnO₂－ZnO异质纳米线的方法。本发明是采用两步气相沉积制备异质纳米线的方法。其方法包括以下过程：将SnO₂粉与石墨粉，ZnO粉与石墨粉分别按比例混合，放入管式炉中部和上部位置，以Al₂O₃为衬底，通过惰性气体(如氩气)传输，用两步热蒸发的方法在Al₂O₃基片上生长得到SnO₂－ZnO异质纳米线。得到的异质纳米线形貌纯净且质量好，在场发射及光电器件方面有应用前景。

主权项

1.一种制备SnO2-ZnO异质纳米线的方法，其特征是：该方法包括以下步骤：1)将SnO2粉和石墨粉按物质的摩尔比为1∶5～5∶1混合研磨，将ZnO粉和石墨粉按物质的摩尔比为1∶5～5∶1混合研磨；以石墨的摩尔为基准；2)将步骤1)得到的两个混合物分别放入两个瓷舟中，然后将装有SnO2 粉和石墨粉混合物的瓷舟放在管式炉的中心位置，将装有ZnO粉和石墨粉混合物的瓷舟放在管式炉上部距中心位置10～15cm处；3)将Al2O3基片平铺在步骤2)的管式炉下部距中心5～20cm处，作为纳米线生长的基底；4)将步骤3)的管式炉加热到800～1000℃，升温速度在10～30℃/min；5)将惰性气体通入步骤4)的管式炉中作为载气，载气的流量和管式炉内的压强分别为10～100sccm和50～5000Pa，进行反应生长；6)反应结束后，将步骤5)上部装有ZnO粉和石墨粉混合物的瓷舟推至管式炉的中部，升高温度到1000℃～1150℃；7)待系统降温后取出Al2O3基片，上面的毛绒状产物是SnO2-ZnO异质纳米线。