[发明专利]制备SnO2－ZnO异质纳米线的方法

权利要求书

1.一种制备SnO₂-ZnO异质纳米线的方法，其特征是：该方法包括以下步骤：

1)将SnO₂粉和石墨粉按物质的摩尔比为1∶5～5∶1混合研磨，将ZnO粉和石墨粉按物质的摩尔比为1∶5～5∶1混合研磨；以石墨粉的摩尔数为基准；

2)将步骤1)得到的两个混合物分别放入两个瓷舟中，然后将装有SnO₂粉和石墨粉混合物的瓷舟放在管式炉的中心位置，将装有ZnO粉和石墨粉混合物的瓷舟放在管式炉上部距中心位置10～15cm处；

3)将Al₂O₃基片平铺在步骤2)的管式炉下部距中心5～20cm处，作为纳米线生长的基底；

4)将步骤3)的管式炉加热到800～1000℃，升温速度在10～30℃/min；

5)将惰性气体通入步骤4)的管式炉中作为载气，载气的流量和管式炉内的压强分别为10～100sccm和50～5000Pa，进行反应生长；

6)反应结束后，将步骤5)上部装有ZnO粉和石墨粉混合物的瓷舟推至管式炉的中部，升高温度到1000℃～1150℃；

7)待系统降温后取出Al₂O₃基片，上面的毛绒状产物是SnO₂-ZnO异质纳米线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤5)所述的进行反应生长的时间是0.5～2小时。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的SnO₂-ZnO异质纳米线的形态为半径突变的纳米线结构，长度在1um～10um，直径在50nm～200nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的原料SnO₂粉、ZnO粉及石墨粉的纯度均为99.99％。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤6)所述的将步骤5)上部装有ZnO粉和石墨粉混合物的瓷舟推至管式炉的中部，应是迅速将上部的瓷舟推到管式炉的中部，同时升温速度应大于20℃/min。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征是：步骤6)进行反应生长的时间是0.5～2小时。