[发明专利]擦除非易失性存储器元件时用于自我收敛的装置和方法

摘要

本发明公开了一种在非易失性存储单元中用以修正一过度擦除状态的装置和方法，一非易失性存储器元件实现在正常擦除周期中的自我收敛，经由物理外观的控制，例如，在该栅极结构以及整个栅极结构中介电层的厚度、宽度、面积等。自我收敛也可以在正常擦除周期中通过在该擦除周期中急速增加施加至该控制栅极的擦除电压而更显著。

主权项

1.一种用于制造非易失性存储装置的方法，该存储装置包含有多个存储单元，且每一存储单元包含一电荷储存结构并具有一阈值电压，其特征在于，该方法包含：将该类存储单元中该电荷储存结构的一第一介电层的物理性尺寸选择成，当有一电压被施加于该存储单元时，一旦该阈值电压几近相同于一预定值，在该第一介电层的电流值实质上相同于一第二介电层中的电流值时的尺寸，该尺寸包括物理尺寸面积、厚度或长度；以及控制该非易失性存储装置的制造，以使该电荷储存结构中的该第一介电层具有所选定的尺寸。