[发明专利]发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810100507.9 | 申请日： | 2008-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101587927A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 姚久琳;徐大正 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光元件及其制造方法。此元件为半导体元件，包含生长基板，生长基板上依序有n型半导体层、量子阱有源层、p型半导体层等外延结构，再以全像术曝光技术为基础，结合量子阱内部扩散效应，使发光元件的量子阱有源层不需经过蚀刻的工艺，即具有二维空间周期性的介电常数变化或材料组成变化的光子晶体。此光子晶体发光元件不仅能增加内部量子效应，也可增加光取出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，包含：基板；以及半导体外延结构位于该基板之上，其中该半导体外延结构具有量子阱有源层，且该量子阱有源层包含在一维或二维空间具有周期性介电常数变化的光子晶体结构。
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