[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，包含：

基板；以及

半导体外延结构位于该基板之上，其中该半导体外延结构具有量子阱有源层，且该量子阱有源层包含在一维或二维空间具有周期性介电常数变化的光子晶体结构，其中该光子晶体结构是以全像术曝光技术为基础结合两道入射光干涉于该量子阱有源层造成内部扩散效应所形成。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中该半导体外延结构还包含：

第一电性半导体层形成于该基板与该量子阱有源层之间；及

第二电性半导体层形成于该量子阱有源层之上，且该第一电性半导体层及/或该第二电性半导体层可作为限制层。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该介电常数变化具有一维空间周期性，其范围为200nm-1000nm。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中该介电常数变化具有二维空间周期性，其范围为200nm-1000nm，且该二维的周期并不需要一致。

5.如权利要求1所述的发光元件，其中该全像术曝光技术的激光波长需小于该量子阱有源层所产生光的波长。

6.如权利要求2所述的发光元件，其中该入射光波长小于该第一半导体层及/或该第二半导体层所对应的波长。

7.如权利要求6所述的发光元件，其中该入射光波长介于该第一半导体层及/或该第二半导体层与该量子阱所对应的波长之间。

8.如权利要求1所述的发光元件，其中该光子晶体结构经二次两道入射光干涉所造成二次量子阱内部扩散效应，且该二次量子阱内部扩散效应的夹角介于20-90度，可形成二维光子晶体结构。

9.如权利要求1所述的发光元件，其中该光子晶体结构具有一维或二维空间周期性的材料组成变化。